FDD86102LZ MOSFET 100V N-kanalni PowerTrench MOSFET

Kratki opis:

Proizvođači: ON Semiconductor
Kategorija proizvoda: Tranzistori – FET-ovi, MOSFET-ovi – pojedinačni
Tehnički list:FDD86102LZ
Opis: MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
RoHS status: Usklađen sa RoHS


Detalji o proizvodu

Oznake proizvoda

♠ Opis proizvoda

Atributo del producto Valor de atributo
Fabricante: onsemi
Kategorija proizvoda: MOSFET
RoHS: Detalles
Tehnologija: Si
Estilo de montaje: SMD/SMT
Paquete / Cubierta: DPAK-3
Polaridad tranzistora: N-kanal
Número de canales: 1 kanal
Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: 100 V
Id - Corriente de drenaje continua: 42 A
Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: 31 mOhms
Vgs - Tensión entre puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V
Qg - Carga de puerta: 26 nC
Temperatura de trabajo mínima: - 55 C
Temperatura de trabajo máxima: + 150 C
Dp - Disipación de potencia : 54 W
Modo kanal: Poboljšanje
Komercijalni naziv: PowerTrench
Empaquetado: Reel
Empaquetado: Cut Tape
Empaquetado: MouseReel
Marca: onsemi / Fairchild
Konfiguracija: Single
Transconductancia hacia delante - Min.: 31 S
Altura: 2,39 mm
dužina: 6,73 mm
Tip proizvoda: MOSFET
serija: FDD86102LZ
Cantidad de empaque de fábrica: 2500
Podkategorija: MOSFETs
Tip tranzistora: 1 N-kanal
ančo: 6,22 mm
Peso de la unidad: 0,011640 oz

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