FQU2N60CTU MOSFET 600V N-kanalni napredni Q-FET C-serije
♠ Opis proizvoda
Atribut proizvoda | Vrijednost atributa |
Proizvođač: | onsemi |
Kategorija proizvoda: | MOSFET |
Tehnologija: | Si |
Stil montaže: | Prolazni otvor |
Paket / Kutija: | TO-251-3 |
Polaritet tranzistora: | N-kanal |
Broj kanala: | 1 kanal |
Vds - Napon proboja odvod-izvor: | 600 V |
Id - Kontinuirana struja odvoda: | 1,9 A |
Rds uključen - Otpor odvod-izvor: | 4,7 oma |
Vgs - Napon gejt-izvor: | - 30 V, + 30 V |
Vgs th - Prag napona gejt-izvor: | 2 V |
Qg - Naboj na kapiji: | 12 nC |
Minimalna radna temperatura: | - 55°C |
Maksimalna radna temperatura: | +150°C |
Pd - Disipacija snage: | 2,5 W |
Način rada kanala: | Poboljšanje |
Pakovanje: | Cijev |
Marka: | onsemi / Fairchild |
Konfiguracija: | Jednostruko |
Jesenje vrijeme: | 28 ns |
Naprijed transkonduktancija - Min: | 5 S |
Visina: | 6,3 mm |
Dužina: | 6,8 mm |
Vrsta proizvoda: | MOSFET |
Vrijeme porasta: | 25 ns |
Serija: | FQU2N60C |
Količina u fabričkom pakovanju: | 5040 |
Podkategorija: | MOSFET-ovi |
Tip tranzistora: | 1 N-kanal |
Tip: | MOSFET |
Tipično vrijeme kašnjenja isključivanja: | 24 ns |
Tipično vrijeme kašnjenja uključivanja: | 9 ns |
Širina: | 2,5 mm |
Težina jedinice: | 0,011993 unce |
♠ MOSFET – N-kanalni, QFET 600 V, 1,9 A, 4,7
Ovaj N-kanalni MOSFET snage s poboljšanim načinom rada proizveden je korištenjem OnSemijeve vlasničke planarne prugaste i DMOS tehnologije. Ova napredna MOSFET tehnologija je posebno prilagođena za smanjenje otpora u uključenom stanju i za pružanje superiornih performansi preključivanja i visoke snage lavinske energije. Ovi uređaji su pogodni za preklopne izvore napajanja, aktivnu korekciju faktora snage (PFC) i elektronske balaste za lampe.
• 1,9 A, 600 V, RDS(uključeno) = 4,7 (maks.) pri VGS = 10 V, ID = 0,95 A
• Nisko naelektrisanje gejta (tipično 8,5 nC)
• Nizak Crss (tipično 4,3 pF)
• 100% testirano na lavine
• Ovi uređaji ne sadrže halogenide i usklađeni su s RoHS direktivom