FQU2N60CTU MOSFET 600V N-kanalni Adv Q-FET C-serija
♠ Opis proizvoda
| Atribut proizvoda | Vrijednost atributa |
| Proizvođač: | onsemi |
| Kategorija proizvoda: | MOSFET |
| tehnologija: | Si |
| Stil montaže: | Kroz rupu |
| Paket / Case: | TO-251-3 |
| Polaritet tranzistora: | N-kanal |
| Broj kanala: | 1 kanal |
| Vds - napon kvara odvod-izvor: | 600 V |
| Id - Kontinuirana struja odvoda: | 1.9 A |
| Rds On - Otpor odvod-izvor: | 4,7 Ohma |
| Vgs - napon izlaza-izvora: | - 30 V, + 30 V |
| Vgs th - granični napon ulaz-izvor: | 2 V |
| Qg - Naplata ulaza: | 12 nC |
| Minimalna radna temperatura: | - 55 C |
| Maksimalna radna temperatura: | + 150 C |
| Pd - rasipanje snage: | 2,5 W |
| Način rada kanala: | Poboljšanje |
| Pakovanje: | Tube |
| Brand: | onsemi / Fairchild |
| Konfiguracija: | Single |
| Vrijeme jeseni: | 28 ns |
| Prednja transkonduktivnost - Min: | 5 S |
| Visina: | 6,3 mm |
| dužina: | 6,8 mm |
| Vrsta proizvoda: | MOSFET |
| Vrijeme uspona: | 25 ns |
| Serija: | FQU2N60C |
| Fabrička količina pakovanja: | 5040 |
| Podkategorija: | MOSFETs |
| Tip tranzistora: | 1 N-kanal |
| Vrsta: | MOSFET |
| Tipično vrijeme odgode isključivanja: | 24 ns |
| Tipično vrijeme kašnjenja uključivanja: | 9 ns |
| širina: | 2,5 mm |
| Težina jedinice: | 0,011993 oz |
♠ MOSFET – N-kanalni, QFET 600 V, 1,9 A, 4,7
Ovaj MOSFET za N-kanalni način poboljšanja je proizveden korištenjem onsemi-jeve vlasničke planarne trake i DMOS tehnologije.Ova napredna MOSFET tehnologija je posebno skrojena da smanji otpor u uključenom stanju i da pruži superiorne performanse prebacivanja i visoku energetsku snagu lavine.Ovi uređaji su pogodni za napajanje u komutiranom režimu, korekciju aktivnog faktora snage (PFC) i elektronske prigušnice za lampe.
• 1,9 A, 600 V, RDS(on) = 4,7 (maks.) @ VGS = 10 V, ID = 0,95 A
• Low Gate Charge (Tip. 8,5 nC)
• Niski Crss (tip. 4,3 pF)
• 100% testirano na lavinu
• Ovi uređaji su bez halida i usklađeni su sa RoHS
